三星电子7月向主要客户出样HBM4 12Hi内存

三星电子将成为最晚提供 HBM4 内存样品的主要供应商。

据报道，三星电子HBM4 12Hi (36GB) 内存的出样准备工作已进入最后阶段。如果内部评估结果良好，三星计划在7月初向英伟达和 AMD 等主要客户供应12层堆叠HBM4的样品。

由于SK海力士和美光先后已于2025年3月和6月实现了HBM4 12Hi的出样，因此三星电子将成为最晚提供 HBM4 内存样品的主要供应商。据悉三星还计划在8月交付更高堆叠的HBM4 16Hi（堆栈容量预计为48GB）样品。

三星电子在HBM4中率先引入了第6代10纳米级工艺 (1c nm) 的 DRAM 芯片，试图扭转在HBM3 (E) 世代遭遇的市场劣势。据悉三星在1c nm DRAM上进行了大胆的重新设计以提升性能表现。三星电子最近计划投资一条10nm级第6代DRAM（1c DRAM）的量产线，这也表明HBM4量产迫在眉睫。

三星电子的HBM竞争力在副董事长全永铉上任之后迅速提高。去年年底，全永铉将HBM竞争力的下降归咎于DRAM，并下令重新设计1c DRAM。当时三星电子内外都在担心，HBM3E和HBM4的大部分市场份额可能会让给SK海力士。如今看来，三星电子的DRAM重新设计取得了成功。当然这有很大部分原因是主要客户对HBM4的需求比最初预期的要慢，而1c DRAM的良率正在迅速提高。

据悉，第一家给英伟达送样的供应商SK海力士目前也还未收到确认的订单。如果三星电子能够在下个月送样的样品中获得好的评价，那么预计三星电子的HBM4分配量可能会增加。目前SK海力士正在与英伟达就HBM4 12层的供应价格进行谈判。由于双方存在分歧，数量确认延迟。考虑到8层HBM3E的售价为每片300美元，HBM4 12层的价格预计在600美元以上。

如果样品成功供应并成功通过客户的定性测试，HBM4预计将于今年年底开始量产。为此，三星电子正在准备1c DRAM设施投资（CAPEX）并迁移到P4平泽和华城17生产线。

不过，在HBM和核心芯片良率方面，三星电子仍然不如其竞争对手。一位熟悉三星电子的官员表示，样品供应和量产良率是完全不同的问题。1c DRAM等良率正在迅速提高，但现在开始量产还为时过早。

在被问及是否计划在下月初提供HBM4 12层样品时，三星电子表示“无法确认”。

据香港券商最新报告，三星电子在今年6月第三次未能通过英伟达12层HBM3E芯片的认证，预计将在今年9月进行第四次认证尝试。由于三星未能达到英伟达的标准，导致其进入下一波AI工作负载高频宽存储器（HBM）供应的时间表进一步不确定。尽管提前提升了HBM3E的产量，但由于未获认证，其供应计划不得不推迟。瑞银发布的报告显示，三星电子的12层HBM3E认证仍处于“待决”状态，并预测该公司向英伟达的供货可能会推迟至今年第四季度。

机构调查显示，2023年第一季度普通型DRAM合约价格下跌，加上高频宽存储器（HBM）出货规模缩减，DRAM行业的营收为270.1亿美元，环比下降5.5%。值得注意的是，第一季度SK海力士受益于HBM3E芯片出货比例的提升，超越了三星电子，营收和市场份额首次单季排名行业第一。

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