1000亿, 砸向混合键合

韩美半导体投资1000亿韩元开发下一代混合键合技术。

今日，韩美半导体正式对外宣布公司将投入高达1000亿韩元，全力聚焦于混合键合技术的研发与生产领域。与此同时，韩美半导体还制定了明确的设备发布规划，计划在2027年底前成功推出混合键合机设备，以期在半导体先进封装的赛道上抢占先机。

为保障混合键合机项目的顺利推进，其正在仁川广域市周安国家工业园区紧锣密鼓地建设混合键合机工厂。该项目总投资额达1000亿韩元，规划建设的工厂总建筑面积为14,570.84平方米（4,415坪），主体建筑为地上两层结构，预计将于2026年下半年正式竣工。待工厂建成后，韩美半导体将进一步完善其生产线布局，届时生产线总面积将拓展至89,530平方米（27,083坪），为产能提升与技术迭代筑牢根基。

据悉，韩美半导体规划中的混合键合机工厂将肩负起生产下一代先进设备的重任。其中，高规格HBM TC键合机将进一步优化高带宽内存（HBM）的键合工艺，提升数据传输速率与存储性能，满足如人工智能、高性能计算等领域对海量数据快速处理的严苛需求；无助焊剂键合机摒弃传统助焊剂使用，不仅能减少键合过程中的杂质引入，提升键合质量与可靠性，还有望降低后续清洗流程成本，符合绿色制造趋势；用于AI 2.5D封装的大芯片TC键合机则专门针对人工智能芯片的2.5D封装设计，能够实现大尺寸芯片间的精准、高效键合，助力AI芯片在有限空间内实现更高密度集成，增强芯片运算能力；而用于HBM/逻辑半导体XPU的混合键合机更是集大成者，可实现HBM与逻辑半导体在XPU架构下的深度融合，为未来高性能处理器的性能突破提供关键支撑。

在加大硬件设施投入的同时，其同步强化技术研发实力。就在7月23日，韩美半导体与TES成功签署混合键合机技术协议。韩美半导体在HBM键合机技术方面积累深厚，拥有成熟的工艺与丰富的经验，而TES则在等离子、薄膜沉积和清洁技术方面具备独特优势。双方此番携手，通过技术互补融合，有望催生更具竞争力的混合键合解决方案。在芯片键合前的表面处理环节，TES的先进清洁技术能够确保芯片表面的超高洁净度，为后续韩美半导体的键合工艺提供绝佳基础，显著提升键合成功率与质量；在键合过程中，TES的等离子与薄膜沉积技术可精准控制键合界面的材料特性，优化电气连接性能，进而提升整个混合键合机的性能表现。此外，韩美半导体还计划扩充混合键合机专业研发人员队伍，通过引入更多行业高端人才，加快技术研发进程。

回顾韩美半导体的发展历程，其在半导体设备领域持续深耕，成果丰硕。按照既定发展路线图，公司致力于供应市场领先的HBM TC键合机设备。早在今年5月份，韩美半导体就已推出HBM4专用设备TC BONDER 4，经过一段时间的技术调试与优化，本月该设备已正式投入生产，标志着公司在HBM4设备供应上迈出坚实一步；与此同时，公司的无助焊剂键合机设备也在紧锣密鼓筹备中，计划于今年年内正式推向市场，丰富公司在键合机领域的产品矩阵。

对于此次重大投资与战略布局，韩美半导体相关人士表示：“随着半导体行业不断向更高性能、更低功耗方向演进，混合键合技术对于提升下一代高密度HBM的性能而言至关重要。它能够实现芯片间更紧密的连接、更低的电阻与更高的集成度，是突破当前HBM性能瓶颈的关键所在。”该人士进一步补充道：“韩美半导体将秉持积极投入的态度，充分发挥自身在技术研发、生产制造等方面的优势，及时为全球存储器公司下一代HBM开发提供所需的核心设备，确保公司在激烈的市场竞争中始终保持领先地位，持续推动半导体先进封装技术向前发展。”

放眼全球半导体市场，混合键合技术正逐渐成为行业竞争的焦点。英特尔、AMD、台积电、三星等半导体巨头均已投身该领域研发，在图像传感器、高端处理器、HBM内存堆栈、AI加速器等多个关键应用场景取得突破。韩美半导体此时加大投入，既是顺应行业发展趋势，也是基于自身对市场需求的精准洞察与技术实力的充分自信。随着1000亿韩元投资逐步落地，以及2027年底混合键合机设备发布节点日益临近，韩美半导体有望在混合键合技术领域开疆拓土，为全球半导体产业发展注入新的活力。

*声明：本文系原作者创作。文章内容系其个人观点，我方转载仅为分享与讨论，不代表我方赞成或认同，如有异议，请联系后台。

想要获取半导体产业的前沿洞见、技术速递、趋势解析，关注我们！